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238 第六章 基础的金属氧化物半导体场效应晶体管■ 解决方案 从公式(6.8b) ,得出那么最大宽度空间电荷为或者■评论空间电荷引起的最大宽度是在数量级为 pn 结空间电荷宽度相同的顺序。演习问题 例如 6.2 (a)当氧化物对 p 型硅交界处 T=300K。掺杂的杂质浓度的硅Na=3×1016cm-3。计算硅在空间电荷的最大宽度。 ( b)重复的一部分杂质浓度( a) Na=1015cm-3。 我们一直在考虑一 p 型半导体基板。相同的最高诱导空间电荷区的宽度发生在一个 n 型衬底。图 6.16 是在与一个 n 型衬底的阈值电压能带图。可以写(6.13a)或者(6.13b)然后可以得出(6.14)图 6.17 的 XdT在 T=300K 作为硅掺杂浓度的函数。半导体掺杂可以是 n型或 p 型。测试 测试 6.1 当 T=300K 氧化物到 n 型硅结。杂质掺杂浓度的硅为 Nd=8×1015cm-6.3 电位差的 MOS 电容器 2393。计算硅的空间电荷的最大宽度。 图 6.16︱能带图中的 n 型半导体在反转点的阈值。图 6.17︱最大感应空间电荷宽度比在硅半导体的掺杂浓度。6.3︱在电位差的 MOS 电容器目标:分析 MOS 电容的潜力,包括工作职能的区别,平带电压和阈值电压。我们已考虑在各门电压半导体能带。我们现在要定义特定的门电压的诱导,在特定条件下的半导体。我们还需要考虑实际的 MOS 结构,而不是理想化的设备考虑到这一点。
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