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一. 选择正确答案填入空内,只需填入 A、B、C、D1/在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于____,而少数载流子的浓度与____关系十分密切。(A.温度, B.掺杂工艺 , C.杂质浓度)2、某二极管在正向电流 ID=10mA 时,其正向压降 UD=0.6V。在 UD 保持不变的条件下,当二极管的结温升高 10℃,I D 将____。 (A.小于 10mA, B.大于 10mA, C.等于 10mA)3、随着温度升高,晶体管的电流放大系数 ____,穿透电流 ____,在 IB 不变的情况下 b-e 结βEOI电压 UBE____。 ( A.增大, B.减小, C.不变)5、选择填空。1.直接耦合与变压器耦合多级放大电路之间主要不同点是。(A.所放大的信号不同,B.交流通路不同, C.直流通路不同)2.因为变压器耦合放大电路(A 1.各级静态工作点 Q 相互独立,B 1.Q 点相互影响,C 1.各级Au 相互影响,D 1.A u 互不影响) ,所以这类电路(A 2.温漂小,B 2.能放大直流信号,C 2.放大倍数稳定) ,但是(A 3.温漂大,B 3.不能放大直流信号,C 3.放大倍数不稳定) 。6、选择填空。1.正弦波振荡电路利用正反馈产生自激振荡的条件是____。(A. , B. , C. )=F= -F+2.负反馈放大电路产生自激振荡的条件是____。(A. ,B. ,C. ,D. )0= 1= 1= - =A1、从括号中选择正确的答案,用 A、B、C、D 填空。N 型半导体是在纯净半导体中掺入 ____;P 型半导体是在纯净半导体中掺入____。(A.带负电的电子, B.带正电的离子, C.三价元素,如硼等 , D.五价元素,如磷等)2、从括号中选择正确的答案,用 A、B、C…填空。某直接耦合放大电路在输入电压为 0.1V 时,输出电压为 8V;输入电压为 0.2V 时,输出电压为 4V(均指直流电压) 。则该放大电路的电压放大倍数为________________。(A.80 , B.40, C.-40, D.20)3、选择正确答案,用 A、B、C、D 填空。当某阻容耦合放大电路输入一个方波信号时,输出电压波形如图所示,说明该电路出现了____;(A.非线性失真, B.频率失真) ,造成这种失真的原因是____。 (A.晶体管过大, B.晶体管的特征频率太低, C.耦合电容太小, D.静态工作点不合适) 。β硅二极管的正向电压从 0.65V 增大 10%,则流过的正向电流增大____。 (A.约 10%, B.小于10% , C.大于 10%)对于同一个晶体管来说, ____ ; _____ 。 (A.小于, B.大于,CBOIE(BR)OU(BR)CEOC.等于)某单管放大电路在负载开路情况下,输入端接 1kHz、50mV 正弦信号,测得输出电压为 2V(有效值) 。当一个阻抗为 8 、额定功率为 1W 的扬声器接至输出端,扬声器获得的电功率为 _____( A.1W , B.0.5W , C.0.25W , D.小于 0.25W) 。5、选择正确的答案填空:1.输入偏置电流 IIB是__。A.运放两个输入端基极偏置电流之和B.运放两个输入端基极偏置电流之差C.运放两个输入端基极偏置电流之平均值2.在运放中差分输入级静态电流 IC一定的情况下, IIB的大小直接反映了差分放大管的__值。A.发射结电压 UBEB.电流放大系数  C. UBE的失配D. 的失配3. IIB越小,则失调电流 IIO__。A.越小B.越大C.不变在双极型晶体管三种基本接法中高频响应特性最好的是______,最差的是____。(A.共射接法, B.共集接法, C.共基接法阻容耦合放大电路的上限截止频率主要取决于____,下限截止频率取决于____。(A.耦合电容, B.晶体管的极间电容, C.晶体管的非线性特性)一个同相放大电路当输入一个正弦信号时,若输出电压顶部削平了,说明该放大电路出现了____;如输出电压的相位与输入不同相,说明该放大电路出现了____。 (A.饱和或截止失真, B.交越失真,C.频率失真)随着温度的升高,在杂质半导体中,少数载流子的浓度____,而多数载流子的浓度____。 (A.明显增大, B.明显减小, C.变化较小)1.差分放大电路中的差模输入信号是两输入端信号__,共模输入信号是两输入端信号的__。(A.差,B.和,C.比值,D.平均值)2.差模电压放大倍数等于__之比,共模电压放大倍数等于__之比。(A.输出信号电压与输入信号电压,B.输出差模电压与输入差模电压,C.输出
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