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第4章复习.doc

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1第四章主存储器一、选择题1、 关于主存下列叙述正确的是(A)A 主存的速度可与 CPU匹配。B 内存是RAM,不包括 ROMC 辅存的程序调入主存中才能执行D 辅存中不能存放程序,只能存放数据2、 断电后将丢失信息的是(B )A)ROM B)RAM C)磁盘 D)光盘3、 关于主存下列叙述正确的是(A )A CPU可直接访问主存,但不能直接访问辅存B CPU可直接访问主存,也直接访问辅存C CPU不能直接访问主存,也不能直接访问辅存D CPU不能直接访问主存,但能直接访问辅存4、 16K×32 位存储芯片的数据线有( A)A)5 条 B)14 条 C)32 条 D)46 条5、 16K×32 位存储芯片的地址线有(B )A)5 条 B)14 条 C)32 条 D)46 条6、 半导体静态存储器 SRAM的存储原理是(A)A)依靠双稳态电路保存信息 B) 依靠定时刷新保存信息C)依靠读后再生保存信息 D)信息存入后不在变化7、 动态 RAM是指( B)A)存储内容动态变化 B) 需动态改变访问地址C)需对存储内容定时动态刷新 D)每次读都要重写动态 RAM 的基本单元电路。常见的动态 RAM 基本单元电路有三管式和单管式两种,它们的共同特点都是靠电容存储电荷的原理来寄存信息的。若电容上存有足够多的电荷表示存“ 1”,电容上无电荷表示存 “0”。电容上的电荷一般只能维持 1~2ms,因此即使电源不掉电信息也会自动消失。为此,必须在 2ms 内对其所有存储单元恢复一次原状态,这个过程叫再生或刷新。由于它与静态 RAM 相比,具有集成度更高、功耗更低等特点,因此目前被各类计算机广泛应用。由 Tl、T 2,T 3三个 MOS管组成的三管 MOS动态 RAM基本单元电路:读出时,先预充电使读数据线达高电平 VDD,然后由读选择线打开 T2,若 Tl的极间电荷Cg存有足够多的电荷(被认为原存“1”),使 T1导通,则因 T2、T l导通接地,使读数据线降为零电平,读出“0”信息。若 Cg没足够电荷(原存“0”),则 T1截止,读数据线为高电平不变,读出“1”信息。可见,由读出线的高低电平可2区分其是读“1” ,还是读“0” ,只是它与原存信息反相。写入时,将写入信号加到写数据线上,然后由写选择线打开 T3,这样,C g便能随输入信息充电(写“1”)或放电(写“0”)。为了提高集成度,将三管电路进一步简化,去掉 Tl,把信息存在电容 Cs上,将T2、T 3合并成一个管子 T,得单管 MOS动态 RAM基本单元电路。读出时,字线上的高电平使 T导通,若 Cs有电荷,经 T管在数据线上产生电流,可视为读出“1”。若 Cs无电荷,则数据线上无电流,可视为读出“0” 。读操作结束时,C s的电荷已泄放完毕,故是破坏性读出,必须重写。8、 计算机主存储器读写的时间数量级为( )A)秒 B)毫秒 C)微秒 D)纳秒9、计算机主存由(C )A)RAM 组成 B) ROM 组成C)ROM 与 RAM组成 D)内存与外存组成10、用户程序所放的主存空间属于( D)A)RAM B) ROMC)ROM 与 RAM D)内存与外存11、在下列存储器中,( B )可以作为主存储器。A 半导体存储器 B 硬盘 C 光盘 D 磁带12、关于主存,以下叙述正确的是(A )A 主存比辅存小,但速度快。 B 主存比辅存大,且速度快。C 主存比辅存小,且速度慢。 D 主存比辅存大,但速度慢。13、EPROM 是指( D) A.随机读写存储器 B.只读存储器 C.可编程只读存储器 D.紫外光可擦除可编程只读存储器14、下列说法正确的是(D ) A.半导体 RAM信息可读可写,且断电后仍能保持记忆 B.半导体 RAM属易失性存储器,而静态 RAM的存储信息是不易失的 C.静态 RAM、动态 RAM都属易失性存储器,前者在电源不掉时,不易失 D.静态 RAM不用刷新,且集成度比动态 RAM高,所以计算机系统上常使用它 15、CPU 不能直接访问的是( D) A.RAM B.ROM C.内存 D.外存16、存储器的字线是( )A.存储体与读写电路连接的数据线.它们通过读写电路传送或接收数据寄存器的信息.一个数据寄存器的位数正好是机器字长,故称为字线3B.存储器的数据线.其线数正好与数据寄存器的位数相对应C.经地址译码器译码之后的存储单元的地址线D.以上三种说法都不对17、CPU 可随机访问的存储器是(B )A。光盘存储器 B。主存储器 C。磁盘存储器 D。磁带存储器18、和 MOS和 RAM比较,双极型 RAM的特点是( )A。速度快,集成度低,位功耗高 B。速度快,集成度高,位功耗高C。速度快
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