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半导体工艺(自己总结).doc

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半导体工艺(自己总结).doc
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只是想多了解下工艺,因为自己不是学这个的, 要补课啊 是不是可以这么理解:1.PAD oxide:SiO2 在 LOCOS 和 STI 形成时都被用来当作 nitride 的衬垫层,如果没有这个 SiO2 衬垫层作为缓冲之用,LPCVD nitride 的高张力会导致 wafer 产生裂缝甚至破裂,同时也作为 NITRIDE ETCH 时的 STOP LAYER2.SAC oxide:Sacrificial Oxide 在 gate oxidation 之前移除 wafer 表面的损伤和缺陷,有助于产生一个零缺陷的 wafer 表面以生成高品质的 gate oxide;经过 HDP 后 Pad Oxide 结构已经被破坏了,可能无法阻挡后面 Implant 的离子。所以生长一层 Sac Oxide,作为在后面 Implant 时对 Device 的保护。3.BPSG 含硼及磷的硅化物 BPSG 乃介于 Poly 之上、Metal 之下,可做为上下两层绝缘之用,加硼、磷主要目的在使回流后的 Step 较平缓,以防止 Metal line 溅镀上去后,造成断线4.ONO(OXIDE NITRIDE OXIDE) 氧化层- 氮化层-氧化层 半导体组件,常以 ONO 三层结构做为介电质(类似电容器) ,以储存电荷,使得资料得以在此存取。在此氧化层 - 氮化层 – 氧化层三层结构,其中氧化层与基晶的结合较氮化层好,而氮化层居中,则可阻挡缺陷(如 pinhole)的延展,故此三层结构可互补所缺.5.space Oxide RIE Etch:猜想应当是氧化物隔离的反应离子刻蚀(RIE-Reactive Ion Etch)反应离子刻蚀是以物理溅射为主并兼有化学反应的过程。通过物理溅射实现纵向刻蚀,同时应用化学反应来达到所要求的选择比,从而很好地控制了保真度。刻蚀气体(主要是 F 基和 CL 基的气体)在高频电场(频率通常为 13.56MHz)作用下产生辉光放电,使气体分子或原子发生电离,形成“等离子体”(Plasma) 。在等离子体中,包含有正离子(Ion+)、负离子(Ion-) 、游离基(Radical )和自由电子(e ) 。游离基在化学上是很活波的,它与被刻蚀的材料发生化学反应,生成能够由气流带走的挥发性化合物,从而实现化学刻蚀。6:IMD Inter-Metal-Dielectric 金属绝缘层.( 汗.)7:SOG spin-on glass 旋涂玻璃用于平坦化 .SOD 是 SPIN-ON DOPANTS?自旋转掺杂剂?,具体作用不甚清楚了至于 N-DEPL 我怀疑是否是 N 耗尽区的意思,但是不是很清楚 CMOS 工艺中是如何实现这样的一个层次的,它是环绕 DIFF 区域的一个可选层.莫非是反型的隔离?外延:外延生长之所以重要,在于外延层中的杂质浓度可以方便的通过控制反应气流中的杂质含量加以调节,而不依赖于衬底中的杂质种类与掺杂水平。外延技术可用于解决高频功率器件的击穿电压与集电极串联电阻对集电极电阻率持相反要求的矛盾;掺杂较少的外延层保证了较高的击穿电压,高掺杂的衬底则可以大大降低集电极的串联电阻CVD 需要高温,反应过程为 ①,同气 体4SiCl气 体2H气 体固 体 HClSi4时存在一竞争反应 ,②因此若四氯化硅的浓度太高,则气 体固 体气 体4 ilil硅反而会被侵蚀而非生长。硅通常是在低浓度区域生长。①式的反应是可逆的,如果进入反应炉的载气中含有氯化氢,将会有去处或侵蚀的情况发生。实际上,此侵蚀动作可用来在外延生长前先清洁硅晶片表面,去处其表面的氧化物和其他杂质。金属有机物化学气相沉积外延(MOCVD) ,一般使用在较低温度下即可成为气态的Ⅲ族元素有机化合物和Ⅴ族元素氢化物来反应,所以不需要高温。只需要在衬底附近存在高温区使得几种反应物能够在衬底附近发生化学沉积即可,炉体其他部分不需要高温。如:。气固气气 433 3CHGaAsCHaAs 分子束外延生长 MBE:MBE 生长厚度具有原子级精度,可以非常精确地控制外延材料的组分和掺杂浓度,生长温度较低。超晶格和异质结场效应晶体管等可用此法实现。刻蚀:干法刻蚀是以等离子体进行薄膜刻蚀的技术。一般是借助等离子体中产生的粒子轰击刻蚀区,是各向异性的刻蚀技术。通常氮化硅、多晶硅、金属以及合金材料采用干法刻蚀技术。湿法刻蚀是将被刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术,是各项同性的刻蚀方法,利用化学反应过程去除待刻蚀区域的薄膜材料,通常氧化硅采用湿法刻蚀技术,有时金属铝也采用湿法刻蚀技术。掺杂:热扩散法掺杂和离子注入法掺杂。热扩散通常分两个步骤进行;预沉积和推进。预沉积是在表面形成一层较薄但具有较高浓度的杂质层,是一种恒定表面源的扩散过程。推进
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