• / 41
  • 下载费用:10 金币  

MOSFET雪崩特性及电源案例解析.pdf

关 键 词:
MOSFET雪崩特性及电源案例解析.pdf
资源描述:
MOSFET雪崩特性及电源案例解析陈桥梁西安龙腾新能源科技发展有限公司MOSFET雪崩能力2雪崩 电流 IAS和 IAR :下图 ID峰值单次雪崩能量 EAS:一次性雪崩期间所能承受的能量,以 Tch Vav-VsrVds = VavLSD11N70浪涌测试波形输入电压 :230Vac/50Hz,输出: 32W通道 1: MOS 漏源电压 (黄色 , 200V/每格 );通道 2: Z2 母线电压 (绿色 , 200V/每格 );通道 3:MOS 漏源电流 (粉色 , 5A/每格 );Time: 5μs/每格漏源电压 =820V 浪涌电压 1400V/90º测试波形母线电压 =883V700mA/32W LED PSSingle stage FlybackSurge Case 3LSD11N70浪涌测试波形输入电压 :230Vac/50Hz,输出: 32W通道 1: MOS 漏源电压 (黄色 , 200V/每格 );通道 2: Z2 母线电压 (绿色 , 200V/每格 );通道 3:MOS 漏源电流 (粉色 , 5A/每格 );Time: 5μs/每格漏源电压 =848V 浪涌电压 1400V/90º测试波形母线电压 =801V 最大漏源电流 =5.8A 700mA/32W LED PSSingle stage FlybackSurge Case 3LSD11N70浪涌测试波形输入电压 :230Vac/50Hz,输出: 32W通道 1: MOS 漏源电压 (黄色 , 200V/每格 );通道 2: Z2 母线电压 (绿色 , 200V/每格 );通道 3:MOS 漏源电流 (粉色 , 5A/每格 );Time: 5μs/每格漏源电压 =832V 浪涌电压 1400V/90º测试波形母线电压 =805V 最大漏源电流 =8.3A 700mA/32W LED PSSingle stage FlybackSurge Case 3LSD07N65-1运行波形通道 1: MOS 漏源电压 (黄色 , 200V/div);通道 2: 电源母线电压 (绿色 , 200V/div);通道 3:: MOS 漏源电流 (黄色 , 5A/div);时间 : 10μs/div Idmax=8.3A Vac=230V,浪涌电压 =600VSurge Case 2LSD07N65-1运行波形通道 1: MOS 漏源电压 (黄色 , 200V/div);通道 2: 电源母线电压 (绿色 , 200V/div);通道 3:: MOS 漏源电流 (黄色 , 5A/div);时间 : 10μs/div Idmax=9.4A Vac=230V,浪涌电压 =1300VSurge Case 2LSD07N65-2运行波形通道 1: MOS 漏源电压 (黄色 , 200V/div);通道 2: 电源母线电压 (绿色 , 200V/div);通道 3:: MOS 漏源电流 (黄色 , 5A/div);时间 : 10μs/div Idmax=9.6A Vac=230V,浪涌电压 =600VSurge Case 2470 kR 2US 1 MD 55 .1 kR 4D 4D 3D 2D 11 .2 mL 110 D - 561 kZ 2150 nC 13470 kR 1C 1压敏电阻 Z2700mA/32W LED PSSingle stage FlybackLSD07N65 浪涌测试波形输入电压 :230Vac/50Hz, 输出: 32W通道 1: MOS 漏源电压 (黄色 , 200V/每格 );通道 2: Z2 母线电压 (绿色 , 200V/每格 );通道 3:MOS 漏源电流 (粉色 , 5A/每格 );Time: 10μs/每格漏源电压 =763V 浪涌电压 2000V/90º测试波形母线电压 =535V 最大漏源电流 =4.6A Surge Case 1Single stage Flyback LED PS输入电压突变 Case 2Input voltage:100V-300Vac/50HzCH1: Vin (yellow, 200V/div);CH2: MOS VDS (green, 5V/div);CH3:MOS IDS (purple, 5A/div);Time: 20ms/divInput voltage:100V-300Vac/50HzCH1: Vin (yellow, 200V/div);CH2: MOS VDS (green, 5V/div);CH3:MOS IDS (purple, 5A/div);Time: 500us/divLSD11N70CH1: Vin (yellow, 200V/div);CH2: MOS VDS (green,
展开阅读全文
  微传网所有资源均是用户自行上传分享,仅供网友学习交流,未经上传用户书面授权,请勿作他用。
0条评论

还可以输入200字符

暂无评论,赶快抢占沙发吧。

关于本文
本文标题:MOSFET雪崩特性及电源案例解析.pdf
链接地址:https://www.weizhuannet.com/p-9845734.html
微传网是一个办公文档、学习资料下载的在线文档分享平台!

微传网博客

网站资源均来自网络,如有侵权,请联系客服删除!

 网站客服QQ:80879498  会员QQ群:727456886

copyright@ 2018-2028 微传网络工作室版权所有

     经营许可证编号:冀ICP备18006529号-1 ,公安局备案号:13028102000124

收起
展开