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光刻胶用底部抗反射涂层研究进展.pdf

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书书书G21第G21 G22卷G21第G23期影像科学与光化学G24 G25G26 G27G21 G22 G21 G28 G25 G27G23 G21G21 G23 G29 G2A G2B年G21月G2C G2D G2E G2FG30G31 G2F G32 G33G30G34 G31 G33 G34 G2E G31 G35 G36 G37 G25 G38 G25 G33 G37 G34 G2D G30G39G38G3A G3B G3C G2E G3A G27 G23 G29 G2A G2B G21G37 G38G38 G3DG21G22 G22G3E G3E G3E G27G3B G3F G40 G3F G3B G2F G37 G3F G27G25 G3AG22 G22 G22 G22 G22 G22G22G22G22G22G22G22G22G22G23G23G23G23G2F综G21述光刻胶用底部抗反射涂层研究进展王G21宽G2AG21刘敬成G2A G24G21刘G21仁G2AG21穆启道G23G21郑祥飞G23G21纪昌炜G23G21刘晓亚G2AG23G2A G27江南大学化学与材料工程学院G24江苏无锡G23 G2A G22 G2A G23 G23G25G23 G27苏州瑞红电子化学品有限公司G24江苏苏州G23 G2A G41 G2A G23 G22G26摘G21要G21随着微电子工业的蓬勃发展G21光刻技术向着更高分辨率的方向迈进G21运用底部抗反射涂层有效消除光刻技术中的驻波效应G22凹缺效应G21提高关键尺寸均一性和图案分辨率G21引起了广大研究者的关注G23本文简要介绍了光刻胶和光刻技术G21底部抗反射涂层的分类G22基本原理G22刻蚀工艺以及其发展状况G23重点对底部抗反射涂层的最新研究进展进行了总结G21尤其是碱溶型底部抗反射涂层在光刻胶中的应用研究G21最后对底部抗反射涂层的发展前景和方向进行了展望G23关键词G21光刻胶G24光刻技术G24底部抗反射涂层G21 G22G23G25G2A G29 G27G42 G41 G2A G42G26G43 G27G30G39 G39 G31 G27G2A G2B G42 G22 G44 G29 G22 G42 G41 G27G23 G29 G2A G2B G27G29 G23 G27G2A G23 G21文章编号G21G2A G2B G42 G22 G44 G29 G22 G42 G41G23G23 G29 G2A G2BG26G29 G23 G44 G29 G2A G23 G21 G44 G2A G21G24 G21引言近G2A G29年G24随着微电子技术的迅速发展G24全球信息化G27网络化呈现出日新月异的景象G24微电子技术发展水平的高低直接决定着集成电路的集成程度G28依据摩尔定律G29G2A G2AG24每隔G21年G24集成电路的集成度约增加G22倍G24其最小特征尺寸则相应缩小G21 G29 G45G28微电子工业如此惊人的发展速度G24所依赖的关键材料和核心技术就是光刻胶G23G36 G37 G25 G38 G25 G3A G34 G39G30G39G38G26和光刻技术G23G36 G37 G25 G38 G25 G26G30G38 G37 G25 G2F G3A G2E G3D G37 G3BG26 G28光刻胶又称光致抗蚀剂G24是一种利用光化学反应进行精细图形转移的感光性高分子材料G24主要应用于集成电路G27半导体分立器件G27平板显示器等光电子领域微细图案的加工G29G23 G24G21 G2AG28光刻技术是指利用光刻胶材料在光照作用下经过曝光G27显影G27刻蚀等工艺将掩膜版G23G3C G2E G39 G40G26上的图案转移到基体上的微细图案加工技术G24其具体的工艺过程如图G2A所示G28光刻技术中最重要的性能指标就是图案的关键尺寸G23G46 G3AG30G38G30G33 G2EG26 G47 G30 G2D G34 G31 G39G30G25 G31G24G46 G47G26和分辨率G23G48 G34 G39 G25 G44G26 G49 G38G30G25 G31G26 G24为了满足集成电路中高分辨率的要求G24光刻技术经历了紫外全谱G23G21 G29 G29 G21 G22 G41 G29 G31 G2DG26 G27G4A线G23G22 G21 G2BG31 G2DG26 G27G2C线G23G21 G2B G41 G31 G2DG26 G24深紫外G23G23 G22 G4B G31 G2D和G2A G4C G21 G31 G2DG26 G27G23 G29 G2A G41 G44 G2A G2A G44
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